Миландр
https://forum.milandr.ru/

1645РУ6У (СОЗУ)
https://forum.milandr.ru/viewtopic.php?f=5&t=2513
Страница 1 из 1

Автор:  Yura [ 2015-апр-27 12:08 ]
Заголовок сообщения:  1645РУ6У (СОЗУ)

ASergej писал(а):
Думаем использовать эту память с процессором ВЕ1Т (имеет PHY Ethernet), но память 2,5 в... Как скрестить и возможно ли? Есть ли отечественные преобразователи уровней на 10 нс?
Все хорошо в этой памяти... но эти 2,5 в...
Миландр разрабатываеи м/с памяти 1645РУ6У, 16 Мбит с питанием 3.3В и временем выборки не более 10 нс.
Доклады, 3-ий доклад, слайды 28-29.
Образцы ожидаем в июле.

Автор:  undou [ 2015-апр-27 12:43 ]
Заголовок сообщения:  Re: ОКР Микрон

Yura писал(а):
Миландр разрабатываеи м/с памяти 1645РУ6У, 16 Мбит с питанием 3.3В и временем выборки не более 10 нс.
Доклады, 3-ий доклад, слайды 28-29.
Образцы ожидаем в июле.
Только на вас вся надежда. :)
А какой-нибудь компактный (безвыводной?) корпус там не получается?

Автор:  ASergej [ 2015-апр-27 14:54 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

Такая память - вещь очень нужная... только опытные образцы предприятиям указано - начало 2016, сдача ОКР - середина 2016. Мы со своими сроками - не дождемся...
Но в любом случае такая память будет очень востребована!

Автор:  Yura [ 2015-апр-27 17:19 ]
Заголовок сообщения:  Re: ОКР Микрон

undou писал(а):
Yura писал(а):
Миландр разрабатываеи м/с памяти 1645РУ6У, 16 Мбит с питанием 3.3В и временем выборки не более 10 нс.
Доклады, 3-ий доклад, слайды 28-29.
Образцы ожидаем в июле.
Только на вас вся надежда. :)
А какой-нибудь компактный (безвыводной?) корпус там не получается?
Корпус 5153.64-2, безвыводной, 13,8х13,8 мм (как у м/с 1645РУ3).

Автор:  Yura [ 2015-апр-27 17:21 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

ASergej писал(а):
Такая память - вещь очень нужная... только опытные образцы предприятиям указано - начало 2016, сдача ОКР - середина 2016. Мы со своими сроками - не дождемся...
Но в любом случае такая память будет очень востребована!
Если заработают образцы, которые получим в июне и закончим тестировать в начале июле этого года, то работа сдастся раньше. На слайде сроки с запасом.

Автор:  Aleks86 [ 2016-мар-18 15:17 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

Когда появятся опытные образцы 1645РУ6У?

Автор:  AndruB [ 2016-апр-04 10:20 ]
Заголовок сообщения:  Описание 1645РУ6У (СОЗУ)

Опубликуйте пожалуйста предварительную спецификацию на микросхему 1645РУ6У .

Автор:  Mikhail [ 2016-июн-22 15:45 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

Обновлена информация по стойким СОЗУ 1645РУ6У и 1645РУ6У1

Все ориентировочные сроки указаны на сайте, там же выложен проект спецификации, проект ТУ высылается по запросу на info@milandr.ru с указанием ФИО и организации.

Автор:  SerjZx [ 2016-июл-20 14:58 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

Хотел использовать эту память в связке с DSP 1967ВН028, у которого напряжение питания ввода/вывода 2,5В.
В выложенной Вами спецификации на память на странице 22 указано: входное напряжение высокого уровня - не менее 0,9Ucc=2,97 В.
Из этого я делаю вывод, что использование 1645РУ6 в связке с 1967ВН028 невозможно. Так ли это? Может быть в спецификации на память ошибка?

Автор:  AZaytsev [ 2017-окт-09 10:48 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

Здравствуйте! Хотел уточнить по поводу использования 4х круглых площадок на нижней стороны микросхемы (корпус 5153.64-2). Насколько это критично, если их вообще не подключать к земле и убрать из посадочного места? Возможно хватит одного?

Автор:  MrGalaxy [ 2020-июл-28 16:04 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

SerjZx писал(а): *
Хотел использовать эту память в связке с DSP 1967ВН028, у которого напряжение питания ввода/вывода 2,5В.
В выложенной Вами спецификации на память на странице 22 указано: входное напряжение высокого уровня - не менее 0,9Ucc=2,97 В.
Из этого я делаю вывод, что использование 1645РУ6 в связке с 1967ВН028 невозможно. Так ли это? Может быть в спецификации на память ошибка?
Также интересует этот вопрос.

Автор:  -=Sergei=- [ 2020-июл-29 08:53 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

MrGalaxy писал(а): *
SerjZx писал(а): *
Хотел использовать эту память в связке с DSP 1967ВН028, у которого напряжение питания ввода/вывода 2,5В.
В выложенной Вами спецификации на память на странице 22 указано: входное напряжение высокого уровня - не менее 0,9Ucc=2,97 В.
Из этого я делаю вывод, что использование 1645РУ6 в связке с 1967ВН028 невозможно. Так ли это? Может быть в спецификации на память ошибка?
Также интересует этот вопрос.
При нарушении требований режимов эксплуатации (уменьшение UIH до 2.0В) будут нарушаться параметры времени выборки.
Но на работоспособность это не влияет.
Времена выборки микросхемы при значениях ниже 0.9*Ucc приведены в 6 разделе. Справочные данные.

Автор:  MrGalaxy [ 2020-июл-29 10:10 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

-=Sergei=- писал(а): *
При нарушении требований режимов эксплуатации (уменьшение UIH до 2.0В) будут нарушаться параметры времени выборки.
А всё-таки, какое минимально допустимое UIH, можно привести данные из ТУ ?

Цитата:
Времена выборки микросхемы при значениях ниже 0.9*Ucc приведены в 6 разделе. Справочные данные.
Не нашёл. Раздел 6 - типовая схема включения, а в разделе 7 тоже нет, там приведены зависимости времени выборки от напряжения питания (рис. 23, 25), от температуры (рис. 24, 26).

Автор:  Lampadov [ 2020-июл-29 12:27 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

MrGalaxy писал(а): *
-=Sergei=- писал(а): *
При нарушении требований режимов эксплуатации (уменьшение UIH до 2.0В) будут нарушаться параметры времени выборки.
А всё-таки, какое минимально допустимое UIH, можно привести данные из ТУ ?

Цитата:
Времена выборки микросхемы при значениях ниже 0.9*Ucc приведены в 6 разделе. Справочные данные.
Не нашёл. Раздел 6 - типовая схема включения, а в разделе 7 тоже нет, там приведены зависимости времени выборки от напряжения питания (рис. 23, 25), от температуры (рис. 24, 26).
Здравствуйте. В данном случае, чтобы понять, разрешено ли использовать процессор ЦОС 1967ВН028 и микросхему памяти 1645РУ6У(У1) в связке, достаточно сопоставить параметры UOH, UOL, UIH и UIL. Сопоставив, можно прийти к выводу, что можно.

Времена выборки микросхемы при значениях UIH ниже 0.9*Ucc приведены в 6 разделе документа АЕНВ.431220.179ТУ. В качестве справки в личные сообщения на форуме направлю выдержки с интересующими Вас значениями.

Касательно минимально допустимого значения UIH для микросхемы памяти 1645РУ6У(У1) приводить информацию из документа ТУ бессмысленно, данные идентичны тем, что представлены в спецификации. Тут важно обратить внимание на то, что в предельном режиме для параметра UIH нет ограничения 0,9*Ucc, но когда микросхема работает в предельном режиме, то может быть нарушена работа микросхемы, так как это отклонение от предельно-допустимого режима, и в данном случае оно проявляется в виде нарушения параметров времени выборки.

Автор:  prostoRoman [ 2020-июл-29 12:32 ]
Заголовок сообщения:  Re: 1645РУ6У (СОЗУ)

MrGalaxy писал(а): *
-=Sergei=- писал(а): *
При нарушении требований режимов эксплуатации (уменьшение UIH до 2.0В) будут нарушаться параметры времени выборки.
А всё-таки, какое минимально допустимое UIH, можно привести данные из ТУ ?
Вложение:
[ attachment ]
2020-07-29_12-26-48.png [ 109.43 КБ | 1803 просмотра ]
MrGalaxy писал(а): *
Цитата:
Времена выборки микросхемы при значениях ниже 0.9*Ucc приведены в 6 разделе. Справочные данные.
Не нашёл. Раздел 6 - типовая схема включения, а в разделе 7 тоже нет, там приведены зависимости времени выборки от напряжения питания (рис. 23, 25), от температуры (рис. 24, 26).
Зависимости tA от Uih не приведено, есть зависимость от Ucc, но она не принципиальная, скажем так...

Страница 1 из 1 Часовой пояс: UTC+03:00
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Limited
https://www.phpbb.com/