Миландр

1645РТ2У, однократно программируемое ПЗУ на основе элемента “antifuse” 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
Работа завершена 26.08.2013.

_________________
Правила форума!

Пришел факс о 1645РТ2У. в нем сказано, что испытания на стойкости ещё не завершены, но подробные характеристики могут быть высланы почтой или факсом.

Какие предполагаемые стойкости по параметрам 7и?
Можно ли после завершения испытаний получить подробные характеристики?

В факсовой рассылке было сказано: "Более подробные характеристики, в том числе и параметры стойкости к воздействию специальных факторов, могут быть сообщены по запросу факсом или электронной почтой. В настоящее время завершаются испытания на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц, результаты будут внесены в АЕЯР.431210.883ТУ в конце IV квартала 2013 г.". То есть данные испытаний на стойкость к воздействию факторов 7.И уже есть!, на 7.К11 испытания еще не завершились.
Результаты по 7.И (выдержка из листа 8 АЕЯР.431210.883ТУ) отправил Вам в личку.

Вот здесь viewtopic.php?f=11&t=1162#p6195 и в прилагаемом файле (стр.6) говорилось о том, что испытанные уровни стойкости по факторам 7С1 и 7С4 составляют 310*1Ус и 3,4*1Ус соответственно.

В текущей версии ТУ уровни ниже.

Для наших применений необходимы хотя бы уровни 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Имея по результатам ПИ более чем трехкратный запас, можете ли Вы повысить стойкость по данным факторам до требуемых нам значений?

Опять использовать 5-вольтовый Интеграл 1635РТ2У нам совершенно не хочется, мы уже заменили его в КД на Вашу ОППЗУ, руководствуясь измеренными Вами на ПИ значениями.

Просим рассмотреть возможность увеличить стойкость в ТУ 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Если нужен официальный запрос - организуем.

Напишите пожалуйста официальный запрос.

_________________
Правила форума!

Официальный запрос направлен в Ваш адрес

Хотелось бы узнать, будут ли проведены работы по коррекции ТУ в части увеличения стойкости по данному факсу?

Здравствуйте! Подскажите, требуется ли проводить термотренировку микросхем после программирования?

По 7С1 у нас действительно уровень 10*1Ус.
Если написать 50*1Ус то это уже без запаса по нормам испытаний.
Если Вам нужен такой уровень, то мы можем его указать в ТУ и написать "без технологических запасов".

_________________
Правила форума!

Напишите всенепременно! Мы испытаем в составе своего прибора, уверен, что все будет в норме.

ОЧЕНЬ ждем скорректированное ТУ.

Спасибо!

В ТУ написано:
«Запрограммированные микросхемы подвергают ЭТТ, в соответствии с ОСТ 11 073.013, в течение 168 ч при температуре 125 ºС с последующим контролем правильности записанной информации. Схема включения микросхемы при ЭТТ согласовывается с предприятием изготовителем микросхемы».

_________________
Правила форума!

Как оказалось, 50*1Ус, к сожалению, не получится.

_________________
Правила форума!

Испытания показали, что не дюжит?

Или оргпроблемы с ТУ?

Микросхемы выдержали данный уровень (отказы начались выше), но с учетом норм и запасов испытаний в ТУ внесено меньшее значение. "Без технологических запасов" не разрешают написать.

_________________
Правила форума!

Ага, спасибо, будем испытывать в приборе