Миландр

Ну когда-же появиться отечественная FPGA:
1. С дифференциальными IO (LVDS).
2. PLL.
3. Несколькими кБ памяти.
4. Пару десятков умножителей.
5. Возможность сделать МАС операцию хотя-бы 120 МГц.
В воронежской 1,2,5 нереализовано.

Можно подумать 4 там реализовано

5578ТС014,024,034,044 все перечисленное там есть

_________________
-= Clear Sky =-

Прецизионный стабилитрон (важна долговременная стабильность) со встроенной схемой термостатирования кристалла (~80 градусов цельсия для исключения ошибок от температуры и гистерезиса) аналог LTZ1000, или со схемой термокомпенсации (но тогда в корпусе минимизирующем температурный гистерезис), аналог VRE3025JS. Таких производителей единицы в мире элементы стоят дорого, компоновка такого элемента вроде не выглядит какой то сверхсложной, элементы используются со всеми индустриальными преобразователями средней и выше точности. Возможно Вам известен производитель в России такого элемента? подскажите.

Хотелось бы 16-ти канальный сигма дельта АЦП 24 разрядный как на 1986ВЕ4У. Или по возможности добавить второй модуль в 1986ВЕ4У. Есть в таком направлении разработки?

проще поставить еще один 1986ВЕ4У и связать их по SSP.

Это то понятно, но из-за некоторых особенностей так крайне нежелательно! Нужно не менее 16 каналов с разрядностью не менее 16-ти.

МК с ядром Cortex-M4F, типа 1986BE8 но без ОТР и всяких спецфакторов. Ну и в корпусе по-меньше. ОЗУ и ПЗУ раза в 2 поболее.

_________________
Не ошибается тот, кто ничего не делает!

Если миландр соблюдает свой план, то на неделе началась поставка экспериментальных образцов потребителям того, что Вы желаете (и даже лучше).
viewtopic.php?p=19631&f=22#p19631

_________________
сочувствующий…

А планируется ли продолжать развивать линейку радиационно стойких микроконтроллеров?

Хотелось бы что-то наподобие 1986ВЕ8Т, только в корпусе с 48, 64, 128 выводами.

Планируется ли разработка FRAM модулей памяти - пусть даже небольшого объема (1-2 Кбайта)?
На форуме все чаще встречаются вопросы по надежности флешь для хранения наработок.
FRAM в этом отношении наиболее удобное решение (на мой взгляд).
"Моментальная" запись - можно сбрасывать данные в последний момент,
Нет необходимости очищать блок (страницу),
"бесконечный" ресурс - можно периодически писать в одно и то же место не боясь получить дырку.

В качестве примера можно посмотреть не самый свежий FM25L256 от RAMTRON
Или мы в этом вопросе отстали навсегда?

_________________
О сколько нам открытий чудных
Готовит просвященья дух,
И опыт - сын ошибок трудных ... (Пушкин)

Пергаменты не утоляют жажду ("Фауст",Гете)

Интеграл пытался сделать 1666РЕ014 (128 Кбайт FRAM), но что-то не получается. С MRAM - даже не пытаются, хотя слухи об организации их производства в Зеленограде ходили долго и упорно.

А что с ними не так? Вроде как ОКР завершен, идёт серийное производство. В перечне ЭКБ присутствуют. Это говорит о налаженном производстве. Вот она на сайте Интеграла.
Вы их пробовали применять?

В идеале освоить её формирование на пластинах по КМОП-технологии. Чтобы можно было встраивать в микроконтроллеры, вместо флеш. А для начала попробовать сделать на ней память с последовательным SPI или I2C интерфейсом в маленьком корпусе.

1666РЕ014 - больше подходит в качестве ОЗУ. Удобно(в отдельных случаях) при включении питания начинать работать с сохраненными данными (фактически продолжать прерванную работу).
Но для хранения 4-12 байт это из пушки по воробьям.
Вопрос даже не количестве используемой памяти. Вопрос в подключении - параллельная шина зарубает идею на корню.
Выводов не напасешься. всеми руками ЗА.

_________________
О сколько нам открытий чудных
Готовит просвященья дух,
И опыт - сын ошибок трудных ... (Пушкин)

Пергаменты не утоляют жажду ("Фауст",Гете)

День добрый, обнаружил ошибку в спецификации на серию 1986ВЕ9x от 06.03.2019.
На странице 522 в 38 разделе "Габаритный чертёж микросхемы" для корпуса Н18.64-1В не верно указана нумерация выводов