Миландр

5576РТ1У, загрузочное однократно программируемое ПЗУ на основе элемента “antifuse” для ПЛИС серии 5576ХС, радиационно стойкое

Доступен программатор.

Периодически задают вопрос: "Почему в таком немаленьком корпусе всего 768Кбит?"
Ответ: "Кристалл получился большим"

_________________
Правила форума!

Когда появится спецификация? Обещали в декабре 13г.

Спецификация.

_________________
Правила форума!

Предполагаем использовать 5576рту1 в качестве носителя информации для инициализации внутренней
SRAM МК 1986ВЕ9х(в режиме загрузки через UART)
и в перспективе МК FT (в режиме загрузки через SPI).
При этом предпочтительным вариантом представляется возможность программирования 5576рту1 непосредственно в системе
без использования программатора ф. "Миландр". Для реализации собственного алгоритма программирования нам не хватает данных
изложенных в спецификации. Поэтому большая просьба к разработчикам микросхемы ответить на следущюие вопросы:
1. Должен ли каждый цикл (разблокировки123, записи, чтения) инициироваться сигналом STRB ?
2. Какая разрядность команды? (согласно рис. 4,5 - 5, согласно таблицы -13)
3. Желательно привести конкретные коды команд для циклов разблокировки123, записи, чтения (значения бит CEB, OEB, WEB, BYTEB).
4. Карта внутренней памяти (аналогично 5576РСУ1 или есть отличия, интересует назначение "option bits" в области 0x8000-0x801f
и границы области для хранения данных).
5. Какова ориентировочная стоимость и возможные сроки поставки для К5576РТ1УК (с ОТК)? (применительно к затратам на отработку схемных и программных решений)
Зарание благодарен за любой ответ (можно в личку).
С уважением, Василий.

Здравствуйте, vasili.

0. Внутрисхемное программирование 5576РТ1У (непосредственно в Вашей системе) возможно, но учитывайте, что: а) нужно будет формировать напряжение программирования (17-18 Вольт), б) Российский ГОСТ (в настоящее время) обязывает проводить ЭТТ (электротермотренировку) после программирования любой однократно-программируемой памяти (несмотря на то, что antifuse-память (память, основанная на пробое тонкого окисла) в отличие от пережигаемых перемычек не восстанавливается со временем).

Если же внутрисхемное программирование производится не в режиме «боевой работы» Вашей аппаратуры, а заранее, то проведение ЭТТ возможно в составе вашей системы, но при этом (как и написано у нас в ТУ) Вам нужно будет согласовать проведение ЭТТ с нами.

1. Да, каждый цикл должен инициироваться сигналом STRB.

2. Да, разрядность кода команды всегда равняется 13.

3. Из 13-ти разрядов кода команды в данной микросхеме важны только 4 бита (CEB, OEB, WEB, BYTEB). Для командного цикла и полного цикла CEB=0, OEB=1, WEB=0, BYTEB=1. Для цикла чтения CEB=0, OEB=0, WEB=1, BYTEB=1. Значения остальных 9-ти бит кода команды не имеют никакого значения.

4. В отличие от 5576РС1У, 5576РТ1У не имеет доступной для адресации памяти, кроме 768 Кбит (3/4 Мбит) конфигурационной памяти. Внутренняя память 16-ти разрядная, адреса с 0000’hex до BFFF’hex.

5. По стоимости и срокам обращайтесь в отдел продаж info@milandr.ru.

_________________
Отдел разработки схем памяти.

Поскольку "option bits" отсутствует, можно пояснить чем определяется размер выдаваемой информации в режимах active и passive serial, или микросхема выдает все 768 кБит независимо от того, были они запрограммированы или нет.

vasili.

Будет выдавать данные пока не получит от ПЛИС(или другого адресата, если применяется не с ПЛИС) сигнал о завершении конфигурирования nCS/CONF_DONE = "1" (рис. 11 спецификации). После прихода сигнала (nCS/CONF_DONE = "1") через 81 такт DCLK линия DATA перейдёт в состояние логического "0". Если режим - passive serial ( и следовательно DCLK формируется микросхемой 5576РТ1У), то DCLK также перейдёт в состояние логического "0".

Если сигнал о завершении конфигурирования nCS/CONF_DONE не придёт за (как минимум) 64 DCLK после того, как последний конфигурационный бит был передан (768К + 64 бит), данная ситуация считается ошибкой конфигурирования, после чего запускается процесс сброса и реконфигурирования ПЛИС (стр. 11 спецификации)

Что касается ответов на Ваши предыдущие вопросы о коде команд (разрядности и конкретных значениях для каждого из циклов) - действительно чёткого описания в тексте нет. В ближайшие дни добавим.

_________________
Отдел разработки схем памяти.

есть ли возможность использовать 5576РТ1У как загрузочную память программ для МК серий 1986ВЕх ?

ЕМНИП viewtopic.php?p=3499#p3499

_________________
сочувствующий…

Здравствуйте! Можно ли получить ТУ на данную ИС, или хотя бы информацию по стойкости к СВВФ? Спасибо.

Конечно можно, но не здесь
Напишите на info@milandr.ru, в теме письма желательно указать "Запрос ТУ на микросхему". В подписи - обязательно контактную информацию с названием организации.

Здравствуйте! Скажите пожалуйста, можно ли для сброса прошивки ПЛИС и запуска процесса повторной конфигурации кратковременно утянуть к земле вывод nINIT_CONF подсоединенный к входу nCONFIG ПЛИС? Или правильнее будет на некоторое время утянуть к земле вход OE ПЗУ соединенный с выводом nSTATUS ПЛИС? Что представляет из себя вывод nINIT_CONF, ОК с внутренний подтяжкой или полноценный КМОП буфер?

Здравствуйте!
Возможно ли внутрисхемное программирование 5576РТ1У?

Можно ли включить последовательно четыре микросхемы памяти 5576РТ1У для конфигурирования ПЛИС 5576ХС4T? Есть ли какие-нибудь особенности программирования микросхем памяти в этом случае?

Андрюшка, да, возможно. Миландр поставляет универсальный USB-программатор, как для внутрисхемного программирования (для этого ваша плата должна иметь соответствующий интерфейс), так и для внешнего с помощью специального адаптера. Руководство по программированию 5576РТ1У: http://milandr.ru/uploads/Products/product_282/Prog5576RT1U.pdf

_________________
Отдел технической поддержки support@milandr.ru

Здравствуйте.Подскажите, поставляется ли программатор в комплекте? какая цена?