Миландр

Ключевым подразделением нашей компании является Центр Проектирования интегральных микросхем
Текущее время: 2017-дек-15 15:08

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 21 ]  На страницу 1, 2  След.
Автор Сообщение
СообщениеДобавлено: 2013-сен-06 10:27 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
1645РТ2У, однократно программируемое ПЗУ на основе элемента “antifuse” 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
Работа завершена 26.08.2013.

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2013-ноя-14 08:12 
Не в сети

Зарегистрирован: 2010-фев-08 00:47
Сообщения: 86
Откуда: el'NiNo
Пришел факс о 1645РТ2У. в нем сказано, что испытания на стойкости ещё не завершены, но подробные характеристики могут быть высланы почтой или факсом.

Какие предполагаемые стойкости по параметрам 7и?
Можно ли после завершения испытаний получить подробные характеристики?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2013-ноя-14 09:09 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-25 10:03
Сообщения: 37
Откуда: АО "ПКК Миландр"
В факсовой рассылке было сказано: "Более подробные характеристики, в том числе и параметры стойкости к воздействию специальных факторов, могут быть сообщены по запросу факсом или электронной почтой. В настоящее время завершаются испытания на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц, результаты будут внесены в АЕЯР.431210.883ТУ в конце IV квартала 2013 г.". То есть данные испытаний на стойкость к воздействию факторов 7.И уже есть!, на 7.К11 испытания еще не завершились.
Результаты по 7.И (выдержка из листа 8 АЕЯР.431210.883ТУ) отправил Вам в личку.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2013-дек-07 11:25 
Не в сети

Зарегистрирован: 2011-сен-23 20:39
Сообщения: 63
Вот здесь viewtopic.php?f=11&t=1162#p6195 и в прилагаемом файле (стр.6) говорилось о том, что испытанные уровни стойкости по факторам 7С1 и 7С4 составляют 310*1Ус и 3,4*1Ус соответственно.

В текущей версии ТУ уровни ниже.

Для наших применений необходимы хотя бы уровни 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Имея по результатам ПИ более чем трехкратный запас, можете ли Вы повысить стойкость по данным факторам до требуемых нам значений?

Опять использовать 5-вольтовый Интеграл 1635РТ2У нам совершенно не хочется, мы уже заменили его в КД на Вашу ОППЗУ, руководствуясь измеренными Вами на ПИ значениями.

Просим рассмотреть возможность увеличить стойкость в ТУ 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Если нужен официальный запрос - организуем.


Вложения:
7.pdf [1.03 МБ]
Скачиваний: 1490
Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2013-дек-09 11:15 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
Heyga4Huk-man писал(а):
Вот здесь viewtopic.php?f=11&t=1162#p6195 и в прилагаемом файле (стр.6) говорилось о том, что испытанные уровни стойкости по факторам 7С1 и 7С4 составляют 310*1Ус и 3,4*1Ус соответственно.

В текущей версии ТУ уровни ниже.

Для наших применений необходимы хотя бы уровни 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Имея по результатам ПИ более чем трехкратный запас, можете ли Вы повысить стойкость по данным факторам до требуемых нам значений?

Опять использовать 5-вольтовый Интеграл 1635РТ2У нам совершенно не хочется, мы уже заменили его в КД на Вашу ОППЗУ, руководствуясь измеренными Вами на ПИ значениями.

Просим рассмотреть возможность увеличить стойкость в ТУ 7С1 - 50*1Ус; 7С4 - 1Ус. Если нужен официальный запрос - организуем.

Напишите пожалуйста официальный запрос.

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2013-дек-12 08:59 
Не в сети
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2012-фев-03 16:30
Сообщения: 51
Откуда: Нижний Новгород
Официальный запрос направлен в Ваш адрес


Вложения:
002.jpg
002.jpg [ 384.43 КБ | Просмотров: 5093 ]
Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-янв-12 12:30 
Не в сети

Зарегистрирован: 2011-сен-23 20:39
Сообщения: 63
rf.serega писал(а):
Официальный запрос направлен в Ваш адрес



Хотелось бы узнать, будут ли проведены работы по коррекции ТУ в части увеличения стойкости по данному факсу?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-янв-13 13:36 
Не в сети

Зарегистрирован: 2014-янв-13 13:31
Сообщения: 1
Здравствуйте! Подскажите, требуется ли проводить термотренировку микросхем после программирования?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-янв-16 10:29 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
Heyga4Huk-man писал(а):
rf.serega писал(а):
Официальный запрос направлен в Ваш адрес



Хотелось бы узнать, будут ли проведены работы по коррекции ТУ в части увеличения стойкости по данному факсу?

По 7С1 у нас действительно уровень 10*1Ус.
Если написать 50*1Ус то это уже без запаса по нормам испытаний.
Если Вам нужен такой уровень, то мы можем его указать в ТУ и написать "без технологических запасов".

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-янв-16 21:34 
Не в сети

Зарегистрирован: 2011-сен-23 20:39
Сообщения: 63
Yura писал(а):
Heyga4Huk-man писал(а):
rf.serega писал(а):
Официальный запрос направлен в Ваш адрес



Хотелось бы узнать, будут ли проведены работы по коррекции ТУ в части увеличения стойкости по данному факсу?

По 7С1 у нас действительно уровень 10*1Ус.
Если написать 50*1Ус то это уже без запаса по нормам испытаний.
Если Вам нужен такой уровень, то мы можем его указать в ТУ и написать "без технологических запасов".




Напишите всенепременно! Мы испытаем в составе своего прибора, уверен, что все будет в норме.

ОЧЕНЬ ждем скорректированное ТУ.

Спасибо!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-янв-27 12:18 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
Pit писал(а):
Здравствуйте! Подскажите, требуется ли проводить термотренировку микросхем после программирования?

В ТУ написано:
«Запрограммированные микросхемы подвергают ЭТТ, в соответствии с ОСТ 11 073.013, в течение 168 ч при температуре 125 ºС с последующим контролем правильности записанной информации. Схема включения микросхемы при ЭТТ согласовывается с предприятием изготовителем микросхемы».

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-фев-11 08:48 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
Heyga4Huk-man писал(а):
Напишите всенепременно! Мы испытаем в составе своего прибора, уверен, что все будет в норме.

ОЧЕНЬ ждем скорректированное ТУ.

Спасибо!

Как оказалось, 50*1Ус, к сожалению, не получится.

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-фев-11 20:04 
Не в сети

Зарегистрирован: 2011-сен-23 20:39
Сообщения: 63
Yura писал(а):
Как оказалось, 50*1Ус, к сожалению, не получится.


Испытания показали, что не дюжит?

Или оргпроблемы с ТУ?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-фев-13 12:23 
Не в сети
Site Admin
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 2009-янв-20 10:05
Сообщения: 778
Heyga4Huk-man писал(а):
Yura писал(а):
Как оказалось, 50*1Ус, к сожалению, не получится.


Испытания показали, что не дюжит?

Или оргпроблемы с ТУ?

Микросхемы выдержали данный уровень (отказы начались выше), но с учетом норм и запасов испытаний в ТУ внесено меньшее значение. "Без технологических запасов" не разрешают написать.

_________________
Правила форума!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2014-фев-14 15:24 
Не в сети

Зарегистрирован: 2011-сен-23 20:39
Сообщения: 63
Yura писал(а):
Heyga4Huk-man писал(а):
Yura писал(а):
Как оказалось, 50*1Ус, к сожалению, не получится.


Испытания показали, что не дюжит?

Или оргпроблемы с ТУ?

Микросхемы выдержали данный уровень (отказы начались выше), но с учетом норм и запасов испытаний в ТУ внесено меньшее значение. "Без технологических запасов" не разрешают написать.


Ага, спасибо, будем испытывать в приборе


Вернуться к началу
 Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 21 ]  На страницу 1, 2  След.

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB