Миландр

Получается что эта модель полностью аналогична 1886ВЕ2У, только память программ масочная (всмысле программируется однократно)? Значит на ВЕ2 можно отладить программу, а потом взять ВЕ1 и штамповать? Масочная память намного надежней в плане эксплуатации?

Да. 1886ВЕ1У предназначен для замены 1886ВЕ2У в серийных изделиях с целью снижения себестоимости, за счет применения памяти программ масочного типа.
Действительно масочная память надежней Flash-памяти.

как её прошивать? стоимость?

Вы отрабатываете проект на 1886ВЕ2У, потом передаете нам прошивку, мы эту прошивку заливаем в 1886ВЕ1У прям на фабрике. Получаются изготовленные под Вас м/с. М/с немного дешевле (уточняйте в отделе продаж) чем 1886ВЕ2У, стойкость к спецфакторам повыше. Но есть минимальная партия изготовления в 250 шт.

_________________
Правила форума!

цена партии получается великовата.. фактическая потребность на данный момент 10 - 20 микросхем. есть выходы из сложившейся ситуации?

Берите 1886ВЕ2У.

_________________
Правила форума!

какая именно спецстойкость у микросхемы? срок службы при воздействии факторов космического пространства?

Отправил Вам по почте ТУ.

_________________
Правила форума!

Прошу выслать в наш адрес результаты испытаний микросхем 1886ВЕ1У
на воздействие факторов космического пространства:
1. Электронов и протонов ЕРПЗ
2. Протонов СКЛ
3. Электронов К1И

ЕРПЗ - естественные радиационные пояса Земли
СКЛ - солнечные космические лучи

какая суммарная накопленая доза радиации (TID)[Мрад], и стойкость к импульсу ионизирующего излучения (SEE) LET [Мэв*см^2/мг]?

Присылайте официальный запрос, направим Вам результаты испытаний. Проводили испытания на спецфакторы и на ОИН, других не проводили.

_________________
Правила форума!

нами были проведены испытания микросхемы 1886ВЕ2У, на защёлку при воздействии тяжёлых заряженных частиц. Микросхема выгорела за несколько мкСек. есть основания полагать что 1886ВЕ1У поведёт себя так же? или конструктивно микросхемы разные, и 1886ВЕ1У должен выдерживать данный вид воздействий? если не трудно проконсультируйтесь с ведующими людьми в этих вопросах в вашей компании. и какие из микросхем (микросхемы памяти, микроконтроллеры) выпускаемых вашей компанией рассчитаны на данный вид воздействий и испытывались на него.

И 1886ВЕ2У и 1886ВЕ1У выполнены по одной технологии, так что с точки зрения тиристорного эффекта у них будет одинаковая стойкость. У 1886ВЕ1 большая стойкость по накопленной дозе. А какая ЛПЭ была для получения тиристора?

ЛПЭ < 3 МЭВ. что с другими микросхемами? они так же не стойки? например серия 1986?