Миландр

Ключевым подразделением нашей компании является Центр Проектирования интегральных микросхем
Текущее время: 2018-сен-24 14:27

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 17 ]  На страницу 1, 2  След.
Автор Сообщение
СообщениеДобавлено: 2016-май-17 16:01 
Не в сети

Зарегистрирован: 2016-май-17 15:47
Сообщения: 5
Необходимы разъяснения по поводу возможности (или нет) одновременного использования внутренней и внешней памяти в 1986ВЕ3Т. Сейчас мы в разработке программ на отладочной плате используем внешнее ПЗУ, но на устройстве, построенном на базе 1986ВЕ3Т (с микросхемой внешней памяти Flash 1636РР4У, микросхемой внешней памяти ОЗУ 1645РУ4АУ), планируем использовать
внутреннее ПЗУ, килобайт – 128;
внешнее ПЗУ, мегабайт – 1;
внутреннее ОЗУ, килобайт – 48;
внешнее ОЗУ, мегабайт – 2.
Наш схемотехник утверждает, что можно использовать что-то одно, например, как и сейчас, внешнее ПЗУ. Так ли это?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-17 17:51 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-22 09:01
Сообщения: 1282
Откуда: АО "ПКК Миландр"
natnau писал(а):
Необходимы разъяснения по поводу возможности (или нет) одновременного использования внутренней и внешней памяти в 1986ВЕ3Т. Сейчас мы в разработке программ на отладочной плате используем внешнее ПЗУ, но на устройстве, построенном на базе 1986ВЕ3Т (с микросхемой внешней памяти Flash 1636РР4У, микросхемой внешней памяти ОЗУ 1645РУ4АУ), планируем использовать
внутреннее ПЗУ, килобайт – 128;
внешнее ПЗУ, мегабайт – 1;
внутреннее ОЗУ, килобайт – 48;
внешнее ОЗУ, мегабайт – 2.
Наш схемотехник утверждает, что можно использовать что-то одно, например, как и сейчас, внешнее ПЗУ. Так ли это?



Данную конфигурацию реализовать возможно. Ваш схемотехник не прав.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 07:21 
Не в сети

Зарегистрирован: 2016-май-17 15:47
Сообщения: 5
Спасибо.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 12:40 
Не в сети

Зарегистрирован: 2015-июн-04 10:38
Сообщения: 40
-=Sergei=- писал(а):
natnau писал(а):
Необходимы разъяснения по поводу возможности (или нет) одновременного использования внутренней и внешней памяти в 1986ВЕ3Т. Сейчас мы в разработке программ на отладочной плате используем внешнее ПЗУ, но на устройстве, построенном на базе 1986ВЕ3Т (с микросхемой внешней памяти Flash 1636РР4У, микросхемой внешней памяти ОЗУ 1645РУ4АУ), планируем использовать
внутреннее ПЗУ, килобайт – 128;
внешнее ПЗУ, мегабайт – 1;
внутреннее ОЗУ, килобайт – 48;
внешнее ОЗУ, мегабайт – 2.
Наш схемотехник утверждает, что можно использовать что-то одно, например, как и сейчас, внешнее ПЗУ. Так ли это?



Данную конфигурацию реализовать возможно. Ваш схемотехник не прав.


Прошу тогда разъяснить как можно работать одновременно с внешней ОЗУ и ПЗУ если в микроконтроллере нет сигналов выбора микросхем (CS), а линии адреса и данных у них общие?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 12:51 
Не в сети

Зарегистрирован: 2016-май-17 15:47
Сообщения: 5
Была маленькая надежда, что как-то можно, ведь адреса разные... Теперь понятно, что нельзя. Жаль.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 12:53 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-22 09:01
Сообщения: 1282
Откуда: АО "ПКК Миландр"
Roman_Navis писал(а):
-=Sergei=- писал(а):
natnau писал(а):
Необходимы разъяснения по поводу возможности (или нет) одновременного использования внутренней и внешней памяти в 1986ВЕ3Т. Сейчас мы в разработке программ на отладочной плате используем внешнее ПЗУ, но на устройстве, построенном на базе 1986ВЕ3Т (с микросхемой внешней памяти Flash 1636РР4У, микросхемой внешней памяти ОЗУ 1645РУ4АУ), планируем использовать
внутреннее ПЗУ, килобайт – 128;
внешнее ПЗУ, мегабайт – 1;
внутреннее ОЗУ, килобайт – 48;
внешнее ОЗУ, мегабайт – 2.
Наш схемотехник утверждает, что можно использовать что-то одно, например, как и сейчас, внешнее ПЗУ. Так ли это?



Данную конфигурацию реализовать возможно. Ваш схемотехник не прав.


Прошу тогда разъяснить как можно работать одновременно с внешней ОЗУ и ПЗУ если в микроконтроллере нет сигналов выбора микросхем (CS), а линии адреса и данных у них общие?


Примерно так


Вложения:
KaZAN.jpg
KaZAN.jpg [ 18.66 КБ | Просмотров: 4916 ]
Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 13:00 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-22 09:01
Сообщения: 1282
Откуда: АО "ПКК Миландр"
Т.е. при обращении к ОЗУ должен быть ADR[29] = 0 и ADR[30] = 1, а при обращении к ПЗУ ADR[29] = 1 и ADR[30] = 0.
Дрогое не допускать.

ОЗУ отобразится в диапазон 0хC01F_FFFF ... 0хC000_0000
ПЗУ отобразится в диапазон 0хA01F_FFFF ... 0хA000_0000


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 13:14 
Не в сети

Зарегистрирован: 2016-май-17 15:47
Сообщения: 5
Большое спасибо.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 13:49 
Не в сети

Зарегистрирован: 2015-июн-04 10:38
Сообщения: 40
Т.е. схемотехник прав? ))))))


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 14:03 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-22 09:01
Сообщения: 1282
Откуда: АО "ПКК Миландр"
Roman_Navis писал(а):
Т.е. схемотехник прав? ))))))


нет, не прав.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 15:14 
Не в сети

Зарегистрирован: 2015-июн-04 10:38
Сообщения: 40
Если контроллер не обращается к внешней шине, то шина адреса и данных переходит в 3-е состояние? или что с ней происходит?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 16:08 
Не в сети

Зарегистрирован: 2009-май-22 09:01
Сообщения: 1282
Откуда: АО "ПКК Миландр"
Roman_Navis писал(а):
Если контроллер не обращается к внешней шине, то шина адреса и данных переходит в 3-е состояние? или что с ней происходит?


Шина адреса держит последний адрес, в третье состояние не переходит.
Шина данных держит данные, если последней была запись, если чтение, то в третьем состоянии.
OE/WE всегда 1, если нет обращения.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-май-18 17:49 
Не в сети

Зарегистрирован: 2015-июн-04 10:38
Сообщения: 40
Спасибо!!!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-июн-29 14:50 
Не в сети

Зарегистрирован: 2014-авг-05 17:25
Сообщения: 36
Скажите, в спецификации, на странице 130 приведена диаграмма чтения памяти. Там приведено время tdacc, но нигде не указано его значение. Через какое время после спада nOE, на шине данных должны появиться данные?


Вернуться к началу
 Профиль  
 
СообщениеДобавлено: 2016-июн-30 12:33 
Не в сети

Зарегистрирован: 2010-июл-08 08:50
Сообщения: 734
Откуда: АО "ПКК Миландр"
QuadMan писал(а):
Скажите, в спецификации, на странице 130 приведена диаграмма чтения памяти. Там приведено время tdacc, но нигде не указано его значение. Через какое время после спада nOE, на шине данных должны появиться данные?

Данные контроллером внешней системной шины фиксируются по фронту сигнала nOE, то есть в момент появления фронта nOE данные уже должны быть установлены. Фронт nOE в зависимости от настроек внешней системной шины. Фронт может генерироваться либо в момент 3/4 цикла чтения (3/4 tcycle), либо настраивается индивидуально для областей памяти (смотрите таблицу 128, "Описание регистров блока контроллера внешней системной шины", регистры RAM_Cycles1, RAM_Cycles2, ...).
В случае настроек с помощью регистров RAM_CyclesX (возможно со 2-ой ревизии контроллера) транзакция состоит из 3-х фаз: WS_SETUP, WS_ACTIVE, WS_HOLD, длительность каждой из которых задается в тактах ядра контроллера.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 17 ]  На страницу 1, 2  След.

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 2


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB